Ψηφιακά Ηλεκτρονικά & Εργαστήριο — Σεπτέμβριος 2024

Μεταγραφή από τα αρχεία IMG_20240913_123555.jpg και Screenshot_2024-09-08-14-17-43-152.jpg.

IMG_20240913_123555.jpg

Ερωτ.8 Πόσο ρεύμα διαρρέει το NMOS; W/L = 1, V_T = 2V, λ = 0, R1 = 100Ω, R2 = 3kΩ, Rd = 100Ω, Vd = 5V.

[Σχήμα: πηγή τάσης Vd, αντιστάσεις R1, R2 και Rd, NMOS τρανζίστορ και κόμβος dc()]

• [ ] 12.7mA
• [ ] 231uA
• [ ] 59uA
• [ ] [δυσανάγνωστο]
• [ ] 4.3[δυσανάγνωστο]
• [ ] 1.7uA

Ερωτ.9 Ποιος είναι ο μικρότερος αριθμός MOSFET που χρειάζονται για να υλοποιήσετε την έξοδο Y = A + B * C * D + C χρησιμοποιώντας CMOS τεχνολογία;

• [ ] 10
• [ ] 14
• [ ] 4
• [ ] 12
• [ ] 16
• [ ] 6

Ερωτ.10 Πόση είναι η τάση στον ακροδέκτη απαγωγού (Drain) του NMOS; W/L = 5, V_T = 0.5V, λ = 0, R = 1000Ω, V = 5V.

[Σχήμα: πηγή τάσης V με dc() σε σειρά με αντίσταση R και NMOS τρανζίστορ, με γείωση]

• [ ] 2mV
• [ ] 2.5V
• [ ] 1.1V
• [ ] 4V
• [ ] 4.9V
• [ ] 5.6V

Ερωτ.11 Ποιά είναι η ακολουθία των δυαδικών ψηφίων W_1, W_2, W_3 της εισόδου όταν στην έξοδο έχουμε την ακολουθία: B0B1B2B3 = 1111.

[Σχήμα: δίκτυο NMOS τρανζίστορ με γειώσεις και γραμμές εξόδου B0, B1, B2, B3· ετικέτες εισόδου [δυσανάγνωστο]]

• [ ] 010
• [ ] 100
• [ ] 011
• [ ] 110
• [ ] 111
• [ ] 001

Ερωτ.12 Ποιός είναι ο μικρότερος αριθμός MOSFET που χρειάζονται για να υλοποιήσετε την έξοδο Y = AB+D+CA χρησιμοποιώντας CMOS Transmission Gate τεχνολογία; Κάθε διακόπτης υλοποιείται από ζεύγος NMOS, PMOS.

• [ ] 6
• [ ] 14
• [ ] 10
• [ ] 12
• [ ] 8
• [ ] 16

Ερωτ.13 Πόσο ρεύμα διαρρέει το NMOS τρανζίστορ; W/L = 10, V_T = 0.5V, λ = 0, Vd = 5V, Vi = 2.5V.

[Σχήμα: πηγές Vd και Vi (dc()), δύο NMOS τρανζίστορ με ετικέτες 2 και 2, κόμβος A ανάμεσά τους]

• [ ] 3mA
• [ ] 63uA
• [ ] 22mA
• [ ] 1.2mA
• [ ] 0.2A
• [ ] 400uA

Ερωτ.14 Πόσο ρεύμα διαρρέει το NMOS τρανζίστορ; W/L = 10, V_T = 0.5V, λ = 0, V1 = 3V, V2 = 3V.

[Σχήμα: πηγές V1 και V2 (dc()), NMOS τρανζίστορ με ετικέτα 10 / 10, αντίσταση 1kΩ και κόμβος εξόδου A]

• [ ] 2.4mA
• [ ] 0A
• [ ] 35mA
• [ ] 0.11mA
• [ ] 10uA
• [ ] 0.43mA

Screenshot_2024-09-08-14-17-43-152.jpg

[Σχήμα: κωδικός στο πάνω μέρος της σελίδας, [δυσανάγνωστο]]

Ερωτ.7 Αντικαθιστούμε την πηγή σταθερής τάσης με πηγή τάσης ημιτονικού σήματος συχνότητας 10KHz. Πόσο είναι ο λόγος |V_A/V_i|;

[Σχήμα: κύκλωμα με τάση εισόδου V_i, πηγή dc(1), op-amp, αντιστάσεις 1kΩ και 10Ω, πηνίο 1mH και σημεία A, B, C]

• [ ] 1k
• [ ] 10
• [ ] 10k
• [ ] 20
• [ ] 10m
• [ ] 120

Ερωτ.8 Πόσο ρεύμα διαρρέει το NMOS; W/L = 1, V_T = 1V, λ = 0, R1 = 3kΩ, R2 = 3kΩ, Rd = 100Ω, Vd = 10V.

[Σχήμα: κύκλωμα NMOS με πηγή Vd, αντιστάσεις R1, R2 και Rd]

• [ ] 0A
• [ ] 13.5uA
• [ ] 1.2mA
• [ ] 3mA
• [ ] 1.1uA
• [ ] 160uA

Ερωτ.9 Ποιός είναι ο μικρότερος αριθμός MOS-FET που χρειάζονται για να υλοποιήσετε την έξοδο Y = A + B + C·D + C χρησιμοποιώντας CMOS τεχνολογία;

• [ ] 6
• [ ] 16
• [ ] 12
• [ ] 10
• [ ] 14
• [ ] 4

Ερωτ.10 Πόσο είναι το ρεύμα που διαρρέει την αντίσταση R1; W/L = 5, V_T = 2V, λ = 0, R1 = 1kΩ, R2 = 100Ω, Vd = 15V.

[Σχήμα: κύκλωμα NMOS με αντιστάσεις R1, R2, πηγή Vd και σημεία A, B]

• [ ] 6.7mA
• [ ] 183mA
• [ ] 2.2uA
• [ ] 1mA
• [ ] 239uA
• [ ] 1.9mA

Ερωτ.11 Πόσο είναι το ρεύμα που βλέπει τη πηγή τάσης στο κύκλωμα; W/L = 10, V_T = 0.2V, λ = 0, R = 1kΩ, V = 5V.

[Σχήμα: κύκλωμα NMOS με αντίσταση R και πηγή τάσης V (dc)]

• [ ] 120uA
• [ ] 18mA
• [ ] 1A
• [ ] 51uA
• [ ] 0A
• [ ] 1.25mA

Ερωτ.12 Ποιά είναι η ακολουθία των δυαδικών ψηφίων B0B1B2B3 όταν στην είσοδο έχουμε την ακολουθία W1W2W3 = 111.

[Σχήμα: ROM μνήμη με γραμμές W1, W2, W3 και στήλες B0, B1, B2, B3, με ετικέτα VDD]

• [ ] 0001
• [ ] 1110
• [ ] 0011
• [ ] 0111
• [ ] 1011
• [ ] 1100

Ερωτ.13 Ποιός είναι ο μικρότερος αριθμός MOSFET που χρειάζονται για να υλοποιήσετε την έξοδο Y = A + B + A + C χρησιμοποιώντας CMOS Transmission Gate τεχνολογία; Κάθε διακόπτης υλοποιείται από ζεύγος NMOS, PMOS.

• [ ] 12
• [ ] 4
• [ ] 6
• [ ] 14
• [ ] 8
• [ ] 10

---

✖ Βρήκα λάθος στη μεταγραφή